นวัตกรรมใหม่ของหน่วยความจำ eDRAM จากไอบีเอ็ม
[เอ.อาร์.ไอ.พี, www.arip.co.th] ในงานประชุม International Solid State Circuits Conference บริษัทไอบีเอ็มจะนำเสนอรายละเอียดเกี่ยวกับหน่วยความจำตัวใหม่ Embedded DRAM หรือ eDRAM ซึ่งออกแบบสำหรับใช้กับซีพียู โดยมีความเร็วเท่ากับ SRAM ที่ใช้เป็นแคชของซีพียูในปัจจุบัน แต่ใช้พื้นที่น้อยกว่าครึ่งหนึ่ง
สนใจลงโฆษณา ติดต่อ โทร.0-2642-3400 ต่อ 4613หลายคนคงคุ้นเคยกับหน่วยความจำ DRAM ที่ใช้ใส่คอมพิวเตอร์เพื่อเพิ่มหน่วยความจำของเครื่อง แต่เป็นชนิดที่ไม่เหมาะสำหรับใช้ในซีพียู เนื่องจากทำงานช้า หน่วยความจำ SRAM ทำงานได้เร็วกว่าจึงเหมาะกับแคชของซีพียู แต่กลับใช้พื้นที่มากกว่า ในซีพียู POWER6 ของไอบีเอ็มซึ่งมีแคช L2 แบบ SRAM ขนาด 8MBต้องใช้พื้นที่มากทีเดียว ไอบีเอ็มกล่าวว่า ต้นแบบ eDRAM เทคโนโลยี 65 นาโนเมตรทำงานได้ด้วยความเร็ว 1.5 นาโนเซ็กเคิล และมีความเร็วรอบนาฬิกา 2 นาโนเซ็กเคิลเทียบเท่ากับ SRAM ในปัจจุบัน . ถึงแม้ว่าไอบีเอ็มจะเปิดตัวต้นแบบโปรเซสเซอร์ขนาด 65 นาโนเมตรในการประชุมครั้งนี้ แต่ที่จริงแล้วไอบีเอ็มมีแผนที่จะเปิดตัวรุ่น 45 นาโนเมตรในปี 2008 ในที่สุดทั้งซีพียู Cell ที่ใช้ในเพลย์สเตชัน 3 และซีพียู POWER จะใช้ eDRAM สำหรับแคช L2 และแน่นอนว่า เอเอ็มดีในฐานะพันธมิตรของไอบีเอ็มก็จะมีเครื่องมือที่จะไปต่อกรกับซีพียูของคู่แข่งตลอดการอย่างอินเทล
ที่มา http://www.arip.co.th/news.php?id=406065







0 Response to "นวัตกรรมใหม่ของหน่วยความจำ eDRAM จากไอบีเอ็ม"
แสดงความคิดเห็น